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値下げフラグ?PS3のCellが45nmに縮小化
IBMがPS3でお馴染みのCellプロセッサを、現行の65nmからHigh-kゲート絶縁膜(※1)を採用した45nmへと縮小化に成功した。
この新しい45nmCellは大幅な省電力・省熱の効果があり、省電力に関しては65nmに比べ60%カットを実現している。
これによりPS3製造コストはさらに下がり、近い将来値下げがあるかも?
※1)
トランジスタの「ゲート絶縁膜」の種類の一つで、高誘電率の素材を使ったもの。
従来、トランジスタのゲート絶縁膜には二酸化ケイ素(SiO2)が用いられてきたが、微細化・集積化が進むにつれて、その膜の厚さは原子数個分まで薄くなり、量子トンネル効果によって絶縁膜を透過して流れ出てしまうリーク電流が増え、集積化を足止めする形になっている。
この問題を解決するため、Intel社は「厚さがあり、かつ大量の電流を流せる高誘電率な素材」として「High-kゲート絶縁膜」を開発した。これは、絶縁膜に厚みをつけることにより量子トンネル効果によるリーク電流を減少させたものである。
(e-Wordsより)
ソース:GIZMODO
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この新しい45nmCellは大幅な省電力・省熱の効果があり、省電力に関しては65nmに比べ60%カットを実現している。
これによりPS3製造コストはさらに下がり、近い将来値下げがあるかも?
※1)
トランジスタの「ゲート絶縁膜」の種類の一つで、高誘電率の素材を使ったもの。
従来、トランジスタのゲート絶縁膜には二酸化ケイ素(SiO2)が用いられてきたが、微細化・集積化が進むにつれて、その膜の厚さは原子数個分まで薄くなり、量子トンネル効果によって絶縁膜を透過して流れ出てしまうリーク電流が増え、集積化を足止めする形になっている。
この問題を解決するため、Intel社は「厚さがあり、かつ大量の電流を流せる高誘電率な素材」として「High-kゲート絶縁膜」を開発した。これは、絶縁膜に厚みをつけることにより量子トンネル効果によるリーク電流を減少させたものである。
(e-Wordsより)
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